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申威111
• 采用新一代“申威64”核心技術(shù),核心流水線升級(jí)為4譯碼7發(fā)射結(jié)構(gòu),單核性能大幅有提升(整數(shù)性能提高62%,浮點(diǎn)性能提高53%);
• 采用低功耗流片工藝,實(shí)現(xiàn)更低功耗,典型課題下芯片的整體運(yùn)行功耗為3W以內(nèi);
• 集成豐富的I/O外設(shè)接口,可適應(yīng)多種不同的應(yīng)用場(chǎng)景;
• 堅(jiān)持寬溫度范圍設(shè)計(jì),增強(qiáng)芯片適應(yīng)面;
• 產(chǎn)品已達(dá)到國(guó)軍標(biāo)B級(jí)標(biāo)準(zhǔn),可以面向軍工、工控等領(lǐng)域應(yīng)用。
產(chǎn)品手冊(cè)
       申威111是基于第三代“申威64”核心的國(guó)產(chǎn)嵌入式處理器,主要面向高密度計(jì)算型嵌入式應(yīng)用需求。申威111處理器有兩款產(chǎn)品:采用40nmLL工藝的產(chǎn)品(申威111LL)已量產(chǎn)。
       申威111LL采用SoC技術(shù),集成1個(gè)64位RISC結(jié)構(gòu)的申威處理器核心,工作頻率800MHz-1.0GHz。集成單路DDR3存儲(chǔ)控制器,還集成了PCI、Ethernet、USB、UART、I2C、LBC等標(biāo)準(zhǔn)I/O接口,這些I/O接口可以根據(jù)系統(tǒng)應(yīng)用需求配置成兩種不同模式。



參數(shù) 性能指標(biāo)
核心數(shù)量   1
核心頻率   典型工作頻率: 800MHz~1.0GHz。
峰值運(yùn)算速度   浮點(diǎn): 每秒32億次雙精度浮點(diǎn)結(jié)果@800MHz;
  整數(shù): 每秒24億次整數(shù)結(jié)果@800MHz。
工藝特征   40nm
電壓參數(shù)   申威111 LL: 內(nèi)核電源: 0.95V±5%;
  申威111 G: 內(nèi)核電源: 1.1V±5%。
Cache容量   核心包含兩級(jí)Cache, Cache行長(zhǎng)度為128字節(jié);
  一級(jí)Cache: 指令與數(shù)據(jù)分離, 容量分別為32KB, 均采用4路組相聯(lián)結(jié)構(gòu);
  二級(jí)Cache: 指令與數(shù)據(jù)混合, 容量為512KB, 采用8路組相聯(lián)結(jié)構(gòu)。
存儲(chǔ)空間   支持64位虛地址空間, 實(shí)際實(shí)現(xiàn)43位虛地址; 支持40位物理地址。
存儲(chǔ)器接口   16、 32或64位可配置的DDR3存儲(chǔ)器接口, 可配置支持可配置的糾單錯(cuò)、 檢雙錯(cuò)
  ECC校驗(yàn), 最大傳輸率為1600MBps;
  支持的總存儲(chǔ)器容量為1GB、 2GB、 4GB或8GB;
  支持連接DDR3 SDRAM芯片、 UDIMM和RDIMM存儲(chǔ)器條。
I/O接口   GMAC接口: 3路, 支持1000/100/10Mbps自適應(yīng)以太網(wǎng)接口;
  USB 2.0接口: 2路, 符合USB-OTG 2.0協(xié)議, 支持Host和Device工作模式;
  PCI接口: 1路, 符合PCI 2.3接口協(xié)議, 支持66MHz、 33MHz總線頻率;
  LBC接口: 異步局部總線擴(kuò)展接口, 可外接Nor-Flash、 SRAM等IO設(shè)備;
  I2C接口: 符合I2C2.0接口協(xié)議, 最大傳輸率可達(dá)3.4MBps;
  UART接口: 符合16550編程模式的異步串行接口, 最大傳輸率可達(dá)115.2KBps,
  支持?jǐn)?shù)據(jù)字長(zhǎng)、 停止位、 校驗(yàn)位可編程;
  基于JTAG的維護(hù)與調(diào)試接口。
封裝特性   采用BGA封裝, 引腳數(shù)為744個(gè); 芯片面積: 31mm×31 mm。
功耗   熱設(shè)計(jì)功耗: 5W;
  典型運(yùn)行功耗: 3W@800MHz(含I/O功耗, 與具體應(yīng)用相關(guān)) 。