參數(shù) | 性能指標(biāo) |
核心數(shù)量 | 4 |
核心頻率 | 典型工作頻率: 1.0~1.6GHz。 |
峰值運(yùn)算速度 | 浮點(diǎn): 每秒1024億次雙精度浮點(diǎn)結(jié)果@1.6GHz; 整數(shù): 每秒704億次整數(shù)結(jié)果@1.6GHz。 |
工藝特征 | 內(nèi)核電源: 0.95V±5%; I/O電源: 1.5V±10%, 1.8V±10%。 |
Cache容量 | 每個(gè)核心包含兩級(jí)Cache, Cache行長(zhǎng)度為128字節(jié); 一級(jí)Cache: 指令與數(shù)據(jù)分離, 容量分別為32KB, 均采用4路組相聯(lián)結(jié)構(gòu); 二級(jí)Cache: 指令與數(shù)據(jù)混合, 容量為512KB, 采用8路組相聯(lián)結(jié)構(gòu); 4個(gè)核心共享三級(jí)Cache, 容量為6MB, Cache行長(zhǎng)度為128字節(jié), 采用24路組相 聯(lián)結(jié)構(gòu)。 |
存儲(chǔ)空間 | 支持64位虛地址空間, 實(shí)際實(shí)現(xiàn)43位虛地址; 支持40位物理地址。 |
存儲(chǔ)器接口 | 雙路64位DDR3存儲(chǔ)器接口, 支持可配置的糾單錯(cuò)、 檢雙錯(cuò)ECC校驗(yàn), 支持單路 存儲(chǔ)控制器, 最大傳輸率為1600MBps; 可配置為單路使用, 每路支持的存儲(chǔ)器容量為1、 2、 4、 8GB, 兩路總存儲(chǔ)器容 量最大為16GB; 支持連接DDR3 SDRAM芯片、 UDIMM和RDIMM存儲(chǔ)器條。 |
I/O接口 | 雙路PCI-E 2.0 ×8接口, 單鏈路帶寬5Gbps; 可配置為單路; 維護(hù)接口支持芯片調(diào)試與維護(hù)。 |
封裝特性 | 采用兩種封裝方式: LGA封裝、 FC-CBGA陶瓷封裝; LGA封裝: 引腳數(shù)為1156, 封裝尺寸為37.5mm×37.5mm; FC-CBGA陶瓷封裝: 引腳數(shù)為1144, 封裝尺寸為40mm×40mm。 |
功耗 | 熱設(shè)計(jì)功耗: 35W; 典型運(yùn)行功耗: 25~30W@1.6GHz(含I/O功耗, 與具體應(yīng)用相關(guān)) 。 |